Методы расчета ионно-имплантированных структур: Методические указания

В данных методических указаниях рассмотрены методы расчета концентрационных профилей и электрофизических параметров полупроводниковых структур, полученных ионной имплантацией. Каждый раздел содержит физическую и математическую модели технологического процесса, задания и контрольные вопросы. Для ряда типовых задач приведены решения с соответствующим программным обеспечением, написанным на языке Паскаль и ориентированным на использование персональных компьютеров типа IBM. Методические указания предназначены для проведения аудиторных занятий и самостоятельной работы студентов физического факультета 4 и 5 курсов по специальности ''Микроэлектроника и полупроводниковые приборы'', а также студентов 6 курса, обучающихся в магистратуре по направлению ''Физика'' (специализация ''Полупроводниковые приборы и микроэлектроника'') при изучении спецкурсов ''Математическое моделирование технологических процессов в микроэлектронике'', ''Физические основы технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем'', ''Физические основы микроэлектроники и нано электроники''